日本 NAPSON 便携涡流法无损电阻率测试仪
日本 NAPSON（纳普森）EC-80P 是手持式涡流感应法无损电阻率、方块电阻测量设备，区别于传统四探针接触式测试，依靠高频电磁感应在样品内部产生涡流，通过检测高频功率损耗换算导电参数，全程无探针扎刺、不划伤薄膜与晶圆表面，属于单点非接触检测机型。

日本 NAPSON 便携涡流法无损电阻率测试仪

日本 NAPSON 便携涡流法无损电阻率测试仪

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产品介绍

日本 NAPSON（纳普森）EC-80P 是手持式涡流感应法无损电阻率、方块电阻测量设备，区别于传统四探针接触式测试，依靠高频电磁感应在样品内部产生涡流，通过检测高频功率损耗换算导电参数，全程无探针扎刺、不划伤薄膜与晶圆表面，属于单点非接触检测机型。主机便携轻量化，搭配手持探头，适合实验室研发、来料抽检、产线现场巡检，可快速评估导电薄膜、半导体外延片、导电新材料的导电均匀性，是半导体、光伏、功能薄膜行业经典无损检测设备。

产品特点

当探针头接触到样品时，即可自动开始测量。
提供3种测量模式，可用于测定晶圆的电阻率、体电阻率以及面电阻率。
可通过旋钮轻松设置测量条件。
每个测量范围都有5种不同的型号可供选择。
根据样品的电阻率范围，可更换相应的电阻率探针。

用途

• 半导体材料，太阳能电池材料（硅、多晶硅、碳化硅等）

• 新材料，功能材料（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）

• 导电薄膜（金属、ITO等）

• 化合物半导体（GaAs外延层、GaN外延层、InP、Ga等）

• 其他

样本量

可以测量任何尺寸和形状的物体（直径需大于20毫米，且测量平面必须保持平整）。

测量范围

[R] 1米～200Ω·厘米
[RS] 10米～3,000Ω/平方厘米
*上述数值范围是针对不同的低阻、中阻、高阻以及S-High、太阳能电池片型探针而言的。

*请参考下表中各类型探头的测量范围：
（1）低阻值档：0.01～0.5Ω/□（0.001～0.05Ω·cm）
（2）中阻值档：0.5～10Ω/□（0.05～0.5Ω·cm）
（3）高阻值档：10～1000Ω/□（0.5～60Ω·cm）
（4）超高阻值档：1000～3000Ω/□（60～200Ω·cm）
（5）太阳能电池片专用档：5～500Ω/□（0.2～15Ω·cm）

尺寸

• 主机尺寸：宽255毫米×深275毫米×高95毫米，重量为4公斤。

• 探针：直径20毫米，长度80毫米。