日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测试仪
HL9900是一种高性能的霍尔效应测试系统，能够用于测量半导体的电阻率、载流子浓度以及迁移率。它采用模块化设计，便于升级。该系统适用于硅、化合物半导体等各种材料的测试。

日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测试仪

日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测试仪

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产品介绍

HL9900是一款高性能霍尔效应测试系统，能够测量半导体中的电阻率(p)、载流子浓度(N)以及迁移率(x)。由于采用模块化设计，因此便于升级；同时，它也适用于硅、化合物半导体、金属氧化物薄膜等各种材料的测试。
该设备具备测量低电阻值和高电阻值的功能，此外还有双温度控制功能，再加上可选的低温保持装置，使得其测量温度范围可从90K以下扩展到500K。

产品特点

（特征①）测量样本的形状与尺寸

样本的形状有很多种，但通常都与图中所示的某种形状类似。在测量样本时，需要满足的主要条件是：接触点（欧姆接触点）的尺寸要足够小，并且这些接触点要均匀地分布在样本的周面上；同时，样本的厚度也必须保持一致。建议使用三叶草形状（B）或希腊十字形状（C）的样本结构。因为这种结构能够降低接触点尺寸和布局对测量结果的影响，从而将rs和RH的误差降至最1低。
除了可以用于范德帕乌形状（VDP）的霍尔效应测量外，东朋科技生产的霍尔效应系统还适用于霍尔棒形状样本的测量。这种几何结构非常适合用于研究具有各向异性特性的材料以及电阻率较低的块状材料。

（特征②）缓冲放大器/高阻抗模块

HL9980具备高阻抗缓冲放大器/电流源功能，其电阻率测量范围可达到100 GΩ/平方，同时还能将电流降至1 pA的水平。通过将模块靠近样品，并使用驱动保护装置，可以最大限度地减少电缆电容带来的影响。该产品还配有专门的屏蔽样品架（仅适用于室温环境下的使用）。

（特征③）可变式温度调节模块

HL9950可变温度调节模块采用了水平连续流动式液氮设计，因此能够实现从90K到500K（-183℃至227℃）范围内的温度测量。此外，该模块还配备了排气功能，可用于去除可能影响测量结果的杂质。该可变温度调节模块可以轻松地安装在磁铁的极片之间。HL9920型体视显微镜还配备了用于放置探针的显示窗口/光学窗口，通过这些窗口还可以进行光激发实验。HL9950与HL9980型阻抗缓冲放大器具有兼容性；当将缓冲放大器与可变温度调节模块连接在一起时，一旦样品电流低于0.1 µA，系统就会自动切换到测量模式。

（特征④）可进行交流电测量

东朋霍尔效应测量系统通过施加交流偏压，使得能够对交流条件下的霍尔效应进行测量。利用这一功能，就可以对电阻极低的材料进行检测。例如，它适用于掺杂浓度较高的材料、厚度较大的块状材料等。尤其适合那些迁移率高的材料，或是那些不适合加热处理的材料（在低温环境下）。

技术参数

产品用途

材料特性评估

通过对样品施加电场和温度，可以研究半导体的输运现象。

可以研究能带的形成以及半导体的施主能级和受主能级。

可以研究用于定义载流子迁移率的载流子散射机制。

通过测量电阻率、面电阻、霍尔系数、多数载流子的迁移率以及面载流子和载流子密度，就可以对材料的性能进行评估。

外延生长的优化

通过测量载流子迁移率，可以了解外延材料的品质。

载流子密度的测量对于器件结构的分析至关重要。

通过霍尔效应测试，能够为外延工程师提供直接反馈，帮助他们了解“接下来应该做什么"，从而提升材料的品质与器件的性能。

改进外延生长工艺

霍尔效应测量是一种能够准确且简便地校准MBE或MOCVD系统掺杂率的方法。

通过霍尔效应检测进行杂质分析，有助于改进MBE或MOCVD系统中的外延生长工艺。

霍尔效应测量作为一种系统，用于补充CV、ECV、SIMS或光致发光（P/L）测试。