日本TOKYO SiC晶圆平面磨削砂轮 半导体用
日本 TOKYO DIAMOND 东京金刚石 SiC 晶圆平面磨削粗加工专用砂轮，专为 SiC（碳化硅）硬脆晶圆平面粗磨工序开发。采用金刚石磨料，结合特殊结合剂配方，针对 SiC 高硬度、高脆性材料特性，实现高效材料去除，同时控制崩边、降低亚表面损伤，是 SiC 衬底加工前段粗加工工序核心耗材。

日本TOKYO SiC晶圆平面磨削砂轮 半导体用

日本TOKYO SiC晶圆平面磨削砂轮 半导体用

一、核心关键词

TOKYO DIAMOND，东京金刚石，SiC ウェーハ平面研削，SiC 晶圆粗磨砂轮，碳化硅晶圆平面磨削砂轮，金刚石砂轮

二、产品介绍

【SiC晶圆的粗加工难题】

在迈向低碳社会的节能趋势下，作为更高效功率器件基板的SiC晶圆备受关注，其发展前景十分广阔。不过，SiC晶圆属于硬度高的难加工材料，存在加工时间较长、用于加工的金刚石砂轮磨损严重的难题。

因此，与传统的硅晶圆相比，SiC晶圆的加工成本要高得多。尤其是在需要大量切削量的晶圆平面磨削粗加工环节中，就需要那种具有稳定加工性能且使用寿命长的金刚石砂轮。

【用带气孔的玻璃固化粘合轮解决】

本公司推出的多气孔玻璃粘接砂轮“贝加"，是通过独特的磨料组织控制技术研发而成的新型砂轮。在用于SiC晶圆的平面磨削过程中，它能够同时实现良好的加工效果与较长的砂轮使用寿命。
6英寸的SiC晶圆也可以通过该砂轮进行无磨料加工。凭借出色的耐磨性，该砂轮可提高每块砂轮所能加工的晶圆数量，从而有助于降低晶圆的加工成本。

■与传统产品相比，使用寿命有显著提升（轮子磨损率低于15%）
■切割速度为0.6μm/秒，能够实现稳定的加工效果
■提供以研磨性能为重和以使用寿命为重的两种类型产品
■已在大尺寸晶圆的粗磨工序（硅面处理）以及器件制造过程中的晶圆背面研磨工序（C面处理）中得到应用
■研磨后的表面粗糙度为Ra17nm-20nm

三、产品特点

• ✅日本 TOKYO DIAMOND 原装，专门面向 SiC 晶圆平面粗研削工序

• ✅金刚石磨料搭配专用结合剂，针对 SiC 硬脆材料优化，材料去除率高

• ✅磨削稳定性好，可高效去除切片后的大量余量，快速修平晶圆表面

• ✅优化磨粒露出与自锐性，不易堵塞，长时间加工磨削阻力稳定

• ✅抑制粗磨阶段崩边、裂纹，减少后续精磨、抛光工序的加工负荷

• ✅砂轮端面精度高，保证晶圆平面度，减少翘曲变形风险

• ✅适配 SiC 晶圆平面磨床，规格可按客户设备、晶圆尺寸定制

四、技术参数

【产品规格示例】
邦德种：具气孔的玻璃质体
粒度：#1000～#3000（粗加工用）

【目标加工素材】
SiC、GaN、GaAs、LT/LN

五、产品用途

半导体 SiC 功率器件衬底加工产线，SiC 切片后的平面粗研磨工序。快速去除切片刀痕与厚度余量，将晶圆平整化，为后续精磨、化学机械抛光 CMP 工序做预处理；适用于 4 英寸、6 英寸、8 英寸 SiC 晶圆加工。